描述
600 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP? IGBT3，采用TO247封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了最佳的折衷，因此可实现最高效率。
特性
? 更低的 VCEsat 压降可以降低导通损耗
? 低开关损耗
? 由于 VCEsat呈现正温度系数特性，因此易于进行器件的并联应用
? 非常软且快速恢复的反并联发射极控制二极管
? 具有高鲁棒性、温度稳定的特性
? 低电磁干扰辐射
? 低栅极电荷
? 非常紧密的参数分布
优势:
? 高效率 - 得益于低导通和低开关损耗
? 600 V 和 1200 V 的全面产物组合可实现设计灵活性
? 器件可靠性高
应用
? 不间断电源(UPS)
? 工业加热和焊接
? 太阳能系统解决方案
? 家用电器
? 电机控制和驱动
